Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - SSD - chiffré - 250 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - mémoire tampon : 512 Mo - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - SSD - chiffré - 250 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - mémoire tampon : 512 Mo - AES 256 bits - TCG Opal Encryption MZ-V7S250BW
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SamsungConstructeurSamsungRéf. Produit
MZ-V7S250BW
 
Général
Type de périphériqueLecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité250 Go
Cryptage matérielOui
Algorithme de chiffrementAES 256 bits
Type de mémoire flash NAND3 bits par cellule (TLC)
FormatM.2 2280
InterfacePCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon512 Mo
CaractéristiquesPrise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Largeur22.15 mm
Profondeur80.15 mm
Hauteur2.38 mm
Poids8 g
Performances
Endurance SSD150 TB
Débit de transfert interne3500 Mo/s (lecture) / 2300 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko17000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko60000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko250000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF1,500,000 heures
Expansion et connectivité
InterfacesPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatibleM.2 2280
Alimentation
Consommation électrique5 Watt (moyenne)
8 Watt (maximum)
30 mW (max. veille)
Divers
Normes de conformitéIEEE 1667
Garantie du fabricant
Service et maintenanceGarantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement0 °C
Température maximale de fonctionnement70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)1500 g @ 0.5 ms half-sine

 

 
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